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μ PD5702TU
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(f = 2.4 GHz, T A = +25 ° C, unless otherwise specified, using our standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
V DS = 3.3 V
I DS
Gate to Source Voltage
Power Added Efficiency
Drain Current
Input Return Loss
Output Return Loss
Output Power
Power Gain
V GS
PAE
Note
IRL
ORL
P out
G P
P in = +2 dBm
P out = +22.0 dBm
P in = ? 20 dBm
P in = +2 dBm
?
?
?
?
?
22.0
20.0
1.9
28.0
180
10
10
?
?
?
?
?
?
?
?
?
V
%
mA
dB
dB
dBm
dB
V DS = 3.0 V
I DS
Gate to Source Voltage
Power Added Efficiency
Drain Current
Input Return Loss
Output Return Loss
Output Power
Power Gain
V GS
PAE
Note
IRL
ORL
P out
G P
P in = +2 dBm
P out = +21.0 dBm
P in = ? 20 dBm
P in = +2 dBm
?
?
?
?
?
21.0
19.0
1.9
27.5
150
10
10
?
?
?
?
?
?
?
?
?
V
%
mA
dB
dB
dBm
dB
Note I DS is total Drain currents of Q1 and Q2 part.
DC CHARACTERISTICS (T A = +25 ° C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Q1
On-state Resistance1
Drain to Source Breakdown
R on1
BV DSS1
V DS = 0.1 V, V GS = 6 V
I DS = 1.4 μ A
?
10.0
4.35
?
?
?
?
V
Voltage1
Gate to Source Breakdown
BV GSS1
I GS = 1.4 μ A
4.0
?
?
V
Voltage1
Gate Threshold Voltage1
Transconductance1
V th1
g m1
V DS = 3.5 V, I DS = 1.4 mA
V DS = 3.5 V, I DS = 25 mA
1.15
50
1.40
70
1.65
?
V
mS
Q2
On-state Resistance2
Drain to Source Breakdown
R on2
BV DSS2
V DS = 0.1 V, V GS = 6 V
I DS = 8.0 μ A
?
10.0
1.02
?
?
?
?
V
Voltage2
Gate to Source Breakdown
BV GSS2
I GS = 8.0 μ A
4.0
?
?
V
Voltage2
Gate Threshold Voltage2
Transconductance2
V th2
g m2
V DS = 3.5 V, I DS = 8.0 mA
V DS = 3.5 V, I DS = 150 mA
1.15
290
1.40
370
1.65
?
V
mS
4
Preliminary Data Sheet PU10455EJ01V0DS
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